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SI4942DY-T1-E3中文资料

SI4942DY-T1-E3图片

SI4942DY-T1-E3外观图

  • 大小:106.7KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.3A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):17mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:7.4A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:1.1W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:21 毫欧 @ 7.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:32nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)

SI4942DY-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-26 19:59:59
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